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基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法

摘要

一种纳米器件技术领域的基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法,通过在硅片上采用标准的光刻和lift-off工艺制作出电极对,然后将碳化硅纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的碳化硅纳米线溶液,在电极对上施加交流信号电压后,将碳化硅纳米线溶液滴在电极对之间,使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。本发明通过简单、方便、高效的工艺方法,实现碳化硅纳米线在电极间的定向排布。

著录项

  • 公开/公告号CN101924028B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201010270528.2

  • 申请日2010-09-02

  • 分类号H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构31201 上海交达专利事务所;

  • 代理人王锡麟;王桂忠

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20120229 终止日期:20140902 申请日:20100902

    专利权的终止

  • 2012-02-29

    授权

    授权

  • 2011-02-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20100902

    实质审查的生效

  • 2010-12-22

    公开

    公开

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