振动场下晶体生长装置和生长方法

摘要

本发明涉及振动场下晶体生长装置和生长方法，所述的生长装置包括炉体(1)、传动机构(2)、样品安瓿(3)、振动发生器(4)、支架(5)、传动杆(6)和导向杆(7)，其中炉体(1)竖直放置，样品安瓿(3)垂直穿过炉体(1)在炉体(1)中沿垂直方向相对移动，样品安瓿(3)下端固定安装在振动发生器(4)上；传动机构(2)通过传动杆(6)与炉体(1)连接，并带动炉体(1)沿轴向上下移动。炉体(1)套穿安装在导向杆(7)上，沿导向杆(7)的轴向上下移动，传动机构(2)及导向杆(7)均安装在固定支架(5)上。本发明在晶体生长过程中引入了轴向的外加振动场，可以有效控制熔体中的对流，改变固液界面形状，通过探索最佳工艺参数，提高晶体品质和成品率。