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一种太阳能电池光吸收层材料CIGS薄膜的制备方法

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摘要

一种太阳能电池光吸收层材料CIGS薄膜的制备方法，首先采用连续化学液相法合成具有核壳结构纳米晶前驱体CuIn/GaCu

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20120229 终止日期:20170730 申请日:20100730

专利权的终止
2012-02-29

授权

授权
2012-02-29

授权

授权
2011-03-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20100730

实质审查的生效
2011-03-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20100730

实质审查的生效
2011-01-12

公开

公开
2011-01-12

公开

公开

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1. 一种太阳能电池光吸收层材料CIGS薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN101944552B . 2012.02.29
2. CIGS基薄膜太阳能电池光吸收层的制备方法 [P] . 中国专利： CN105336800B . 2017.03.29
3. CIGS MANUFACTURING METHOD FOR CIGS THIN FILM TYPE ABSORBER LAYER MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM SOLAR CELL USING THEREOF AND THIN FILM SOLAR CELL [P] . KR102291130B1 . 2021-08-18

机译： CIGS薄膜太阳能电池的CIGS薄膜型吸收层制造方法的CIGS制造方法及薄膜太阳能电池
4. Cu—Ga target, method of producing same, light-absorbing layer formed from Cu—Ga based alloy film, and CIGS system solar cell having the light-absorbing layer [P] . 美国专利： US10050160B2 . 2018-08-14

机译： Cu-Ga靶，其制造方法，由Cu-Ga基合金膜形成的光吸收层以及具有该光吸收层的CIGS系统太阳能电池
5. Cu-Ga target, manufacturing method thereof, light absorption layer made of Cu-Ga alloy film, and CIGS solar cell using the light absorption layer [P] . 日本专利： JPWO2012098722A1 . 2014-06-09

机译： Cu-Ga靶，其制造方法，由Cu-Ga合金膜制成的光吸收层以及使用该光吸收层的CIGS太阳能电池