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适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法

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摘要

本发明属于半导体存储器制造技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法。本发明采用磁控溅射的方法，在SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-09-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/203 授权公告日:20111228 终止日期:20140723 申请日:20100723

专利权的终止
2011-12-28

授权

授权
2011-06-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/203 申请日:20100723

实质审查的生效
2010-12-01

公开

公开

1. 适用于快闪存储器的高密度钯纳米晶的制备方法 [P] . 中国专利： CN101901755B . 2011.12.28
2. 一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法 [P] . 中国专利： CN102243996A . 2011-11-16
3. METHOD FOR ALIGNING NANOCRYSTALS METHOD FOR PRODUCING NANOCRYSTAL STRUCTURE NANOCRYSTAL STRUCTURE FORMING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING NANOCRYSTAL STRUCTURE FORMING SUBSTRATE [P] . 韩国专利： KR101906219B1 . 2018-10-10

机译：纳米微晶的制备方法纳米微晶的制备方法纳米微晶的形成基质和制备纳米微晶的基质的方法
4. METHOD FOR ALIGNING NANOCRYSTALS METHOD FOR PRODUCING NANOCRYSTAL STRUCTURE NANOCRYSTAL STRUCTURE FORMING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING NANOCRYSTAL STRUCTURE FORMING SUBSTRATE [P] . 韩国专利： KR20170072256A . 2017-06-26

机译：纳米微晶的制备方法纳米微晶的制备方法纳米微晶的形成基质和制备纳米微晶的基质的方法
5. METHOD FOR FABRICATING OF FLASH MEMORY HAVING DOUBLE LAYER BLOCKING OXIDE AND FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20090077395A . 2009-07-15

机译：具有相同双层氧化物的快闪记忆体的制造方法和使用该方法的快闪记忆体