公开/公告号CN101899591B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司;
申请/专利号CN201010220084.1
申请日2010-07-06
分类号
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人陆聪明
地址 200241 上海市闵行区江川东路28号
入库时间 2022-08-23 09:08:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-26
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01M 4/38 授权公告日:20111221 终止日期:20140706 申请日:20100706
专利权的终止
2011-12-21
授权
授权
2011-01-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 19/03 申请日:20100706
实质审查的生效
2010-12-01
公开
公开
机译: 技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
机译: 硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译: 具有晶格适应性的微电子半导体器件-通过超晶格实现它们之间的接触区域,并且在使用一种材料制成器件的情况下去除了替代材料