一种低温下控制合成片状Cu_xS_y纳米晶光电薄膜的化学方法

摘要

本发明提供了一种低温下控制合成片状Cu_xS_y纳米晶光电薄膜的化学方法。其方法是首先将硫粉加入到容器中，然后加入有机溶剂N，N-二甲基甲酰胺或无水乙醇，有机溶剂的体积大于容器容积的一半，在0～60℃温度恒温放置1小时，使溶解的硫粉在有机溶剂中达到饱和，再将具有新而洁净金属铜表面的基底材料水平置于容器底部并避免与硫粉直接接触，在0～60℃下反应5～24小时，产物用无水乙醇洗涤，于室温干燥后，即在基底材料金属铜的表面原位制得片状结构Cu_xS_yx∶y＝1～2纳米晶组成的大面积薄膜材料。本发明的方法低温低能耗、简单、绿色环保、适于大面积工业生产、不需要任何模板，不需要添加任何表面活性剂，不必经过除杂等繁琐的后处理操作。