公开/公告号CN101540195B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200810102307.7
申请日2008-03-20
分类号G11C11/412(20060101);G11C11/419(20060101);H01L27/11(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:08:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-05-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/412 授权公告日:20111221 终止日期:20150320 申请日:20080320
专利权的终止
2013-04-10
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C 11/412 变更前: 变更后: 申请日:20080320
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2013-04-03
专利权的转移 IPC(主分类):G11C 11/412 变更前: 变更后: 登记生效日:20130308 申请日:20080320
专利申请权、专利权的转移
2011-12-21
授权
授权
2009-11-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-09-23
公开
公开
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机译: 无负载NMOS四晶体管动态双Vt SRAM单元
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