首页> 中国专利> 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法

一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法

摘要

一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法,是采用光刻胶-银膜一光刻胶的三层膜层结构基片,纳米掩模图形面与基片表层光刻胶接触曝光。银膜功能是通过紫外照明光,将铬膜上的线宽尺度在20nm~500nm的图形成像到基片表层光刻胶,实现纳米图形成像光刻。表层光刻胶曝光显影后,通过两步刻蚀,将图形传递到金属银膜和底层光刻胶层,从而实现高深宽比的纳米光刻胶图形。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-14

    授权

    授权

  • 2010-08-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/095 申请日:20091225

    实质审查的生效

  • 2010-06-09

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号