带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在所述N型掺杂半导体衬底上面设有N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层的内部设有P型掺杂深阱区，在所述P型掺杂深阱区的上侧设有P型掺杂区和P型掺杂缓冲区，在所述P型掺杂区中设有高浓度的N型掺杂区，在部分栅氧化层的上方设有多晶硅，多晶硅在终端结构区域构成了多晶硅场板结构，并且与该带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管中源端延伸到过渡区的金属场板，共同构成双层场板，其能够降低表面电场峰值，优化表面电势分布，有效的提高器件的横向耐压水平。