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防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法

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摘要

本发明公开了一种防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法，其包括干法刻蚀SiC基体、划定欧姆接触的区域、在上述区域淀积金属层、高温退火，形成欧姆接触，其特征在于，在淀积金属层的步骤前面，增加下述步骤：①氧化步骤：对SiC基体进行氧化，形成厚度≥

1. 防止金属横向扩展的SiC基体上制备欧姆接触的方法 [P] . 中国专利： CN101882575B . 2011.11.16
2. 基于选择性反应在过渡金属硫属化合物基体上制备二维横向异质结的方法 [P] . 中国专利： CN113327840A . 2021-08-31
3. method of forming refractory metal carbide ohmic contact layer on SiC using carbonization process and the device thereof [P] . 韩国专利： KR101063914B1 . 2011-09-14

机译：碳化法在SiC上形成难熔金属碳化物欧姆接触层的方法及其装置
4. METHOD OF FORMING REFRACTORY METAL CARBIDE OHMIC CONTACT LAYER ON SIC USING CARBONIZATION PROCESS AND THE DEVICE THEREOF [P] . 韩国专利： KR20100019122A . 2010-02-18

机译：利用碳化过程在SiC上形成耐火金属碳化物欧姆接触层的方法及其装置
5. METHOD FOR MODIFYING A SURFACE OF A SUBSTRATE FOR AN INKJET PRINTER, CAPABLE OF PREVENTING A DISCONNECTION OF A METAL WIRING PATTERN BY PREVENTING AN INK COHESION ON A SUBSTRATE WHILE MAINTAINING 20 TO 50 DEGREES OF A CONTACT ANGLE [P] . 韩国专利： KR20120052043A . 2012-05-23

机译：用于修改喷墨打印机基体表面的方法，该方法能够通过在保持20至50度接触角的基体上防止墨粘聚来防止金属布线图案断开