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公开/公告号CN1978698B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社爱发科;
申请/专利号CN200610160965.2
发明设计人 李尚浩;小松孝;中村肇;新井真;清田淳也;谷典明;
申请日2006-12-06
分类号C23C14/35(20060101);
代理机构11015 北京英特普罗知识产权代理有限公司;
代理人齐永红
地址 日本国神奈川县
入库时间 2022-08-23 09:07:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-11-02
授权
2008-12-31
实质审查的生效
2007-06-13
公开
机译: 在可旋转圆柱形磁控管溅射装置中微调磁控管溅射电极的方法
机译: 磁控管电极中的旋转磁控管及其制造方法和具有该磁控管电极的溅射装置
机译:通过HIPIMS / DC磁控管混合溅射与同步金属离子辐照共溅射形成致密且坚硬的Ti_(0.4)Al_(0.5)Ta_(0.08)N薄膜的低温生长
机译:用于高功率脉冲溅射磁控管的自溅射,工艺气回收和失控的统一处理
机译:大功率脉冲磁控管溅射中初始电流峰值的起源以及非溅射放电的验证
机译:用于LAC-应用的光学涂层(NB_2O_5,TA_2O_5和WO_3)通过陶瓷溅射靶的直流QuasireeActive磁控管溅射获得的LAC-应用
机译:大功率脉冲磁控管溅射放电的表征。
机译:磁控管溅射Aln /六边形BN /蓝宝石基材的外延生长
机译:磁控管溅射锡薄膜朝向增强性能超级电容器电极
机译:空心阴极平面溅射磁控管中的氮原子能量分布