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用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅(SOI)晶片的方法

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摘要

公开具有覆盖在埋氧层(120)上的蚀刻终止层(130)的绝缘体上硅(SOI)晶片的实施例以及该晶片的制造方法的实施例。该蚀刻终止层可以包括氮化硅、氮掺杂二氧化硅或氮氧化硅以及这些材料的一些组合。还描述和要求其它实施例。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-31

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 授权公告日:20110803 终止日期:20131109 申请日:20051109

专利权的终止
2011-08-03

授权

授权
2007-11-21

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-09-26

公开

公开

1. 用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅(SOI)晶片的方法 [P] . 中国专利： CN101044611B . 2011.08.03
2. 用于制造适于制造SOI衬底的半导体晶片的方法以及由此获得的SOI衬底晶片 [P] . 中国专利： CN106170846B . 2021.08.10
3. Method for manufacturing a silicon-on-insulator (SOI) wafer with an etch stop layer [P] . 美国专利： US7473614B2 . 2009-01-06

机译：具有蚀刻停止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的制造方法
4. Method for manufacturing a silicon-on-insulator (SOI) wafer with an etch stop layer [P] . 美国专利： US2009096025A1 . 2009-04-16

机译：具有蚀刻停止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的制造方法
5. Method for manufacturing a silicon-on-Insulator (SOI) wafer with an etch stop layer [P] . 美国专利： US2006102988A1 . 2006-05-18

机译：具有蚀刻停止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的制造方法