一种在高声速材料衬底上生长氮化铝压电薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜)衬底上生长c-取向氮化铝(AlN)薄膜的方法。为了提高声表面波(SAW)器件的工作频率，一种有效的方法就是在高声速材料衬底上沉积压电薄膜。本发明通过引入氧化锌(ZnO)薄膜过渡层解决了在高声速材料(如金刚石、非晶金刚石和类金刚石薄膜)衬底上难以形成C-取向氮化铝(AlN)压电薄膜的难题。用本发明制备的氮化铝压电薄膜，制作声表面波(SAW)器件，其工作频率可达3千兆赫(GHz)以上。