非晶氧化物半导体、半导体器件和薄膜晶体管

摘要

一种非晶氧化物半导体，含有按In_xGa_yZn_z的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。