机译:非晶氧化物半导体薄膜晶体管器件的最新进展综述
Display Device Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology (SATT), Mt#I4-I, Nongseo-dong, Yongin, 446-712, Republic of Korea;
Display Device Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology (SATT), Mt#I4-I, Nongseo-dong, Yongin, 446-712, Republic of Korea;
Display Device Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology (SATT), Mt#I4-I, Nongseo-dong, Yongin, 446-712, Republic of Korea;
Department of Materials Science and Engineering, Dankook University, Mt#29, Anseo-dong, Cheonan, 330-714, Republic of Korea;
oxide semiconductor; thin film transistor; device instability; solution oxide semiconductor; active matrix organic light emitting diode; (AMOLED); active matrix liquid crystal display (AMLCD);
机译:用于非晶氧化物半导体薄膜晶体管存储器件的优异原子层沉积技术
机译:使用超宽带隙非晶氧化物半导体的NBIS稳定氧化物薄膜晶体管
机译:使用多组分半导体通道的薄膜晶体管组合方法:在In-Ga-Zn-O系统中的非晶氧化物半导体中的应用
机译:非晶氧化物半导体薄膜晶体管中的沟道宽度和沟道长度相关性:从器件结构的角度
机译:用于高性能薄膜晶体管的非晶态金属氧化物半导体的低温溶液处理。
机译:用于薄膜晶体管的溶液处理的基于镓锡的氧化物半导体
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管