一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法

摘要

本发明属于一种纳米材料的合成方法，具体为一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下，将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到Se前体；将锌源体、十八烯和长链烷基胺混合得到Zn前体；先对Zn前体其进行“均一化”处理，然后在惰性气体保护下升温至合成反应温度(300-350℃)；将Se前体快速加入Zn前体中，通过反应一定时间，得到花形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物花形ZnSe纳米晶的透明溶液。该方法具有反应体系简单，原料易得，操作简单，环境污染小，结晶度好的优点。