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公开/公告号CN101106174B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200710104174.2
发明设计人 郑椙旭;孔晙赫;李智惠;赵栢衡;
申请日2007-05-21
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人林宇清
地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
入库时间 2022-08-23 09:06:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-06-08
授权
2008-03-05
实质审查的生效
2008-01-16
公开
机译: 减少用于重置相变存储器件的存储单元中的一部分相变材料的重置电流的方法和相变存储器件
机译:具有LDD结构的非易失性存储器件中擦除操作后的导通电流减小
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