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一种有效的静电放电保护电路

摘要

静电放电ESD(ElectrostaticDischarge)是当今集成电路中最重要的可靠性问题之一。随着集成电路制造技术的发展,特征尺寸的不断缩小,抗静电的能力越来越弱,但在微电子制造和使用的环境中,器件遭受ESD的机会却越来越多,这使得ESD对集成电路的影响也越来越大,ESD损伤成为新工艺上关注的焦点。本发明正是从这一基本出发点开始,打破传统的简单的ESD保护电路的局限,既从结构上对ESD保护电路进行改进,而且从版图布局、设计规则上加以考虑,但工艺制作流程却又同常规的BICMOS工艺基本一致,这样既能保证集成电路有较好的ESD保护能力,又不至于使工艺复杂化,这样既提高了电路的可靠性能,而又不会增加成本,提高了电路的竞争力。

著录项

  • 公开/公告号CN101621198B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡市晶源微电子有限公司;

    申请/专利号CN200910032617.0

  • 发明设计人 朱伟民;马晓辉;聂卫东;陈东勤;

    申请日2009-06-29

  • 分类号

  • 代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人叶连生

  • 地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区106-C地块A幢209室

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-05-18

    授权

    授权

  • 2010-03-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2010-01-06

    公开

    公开

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