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抗蚀图案增厚材料及抗蚀图案形成工艺和半导体器件及其制造工艺

摘要

本发明提供一种抗蚀图案增厚材料,其能够利用ArF准分子激光;当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时,其能够增厚待增厚的抗蚀图案,而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关;以及其适用于形成微小的空间图案等,而突破曝光极限。本发明还提供一种抗蚀图案形成工艺以及一种半导体器件制造工艺,其中可以适当地利用本发明的抗蚀图案增厚材料。

著录项

  • 公开/公告号CN1821871B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN200610005432.7

  • 发明设计人 野崎耕司;小泽美和;并木崇久;

    申请日2006-01-20

  • 分类号

  • 代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人王玉双

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F7/004 授权公告日:20110518 终止日期:20190120 申请日:20060120

    专利权的终止

  • 2011-05-18

    授权

    授权

  • 2011-05-18

    授权

    授权

  • 2006-10-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-10-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-23

    公开

    公开

  • 2006-08-23

    公开

    公开

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