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用于在有图案基底上取向生长纳米线的方法

摘要

本发明涉及用于纳米线生长和获取的系统和方法。在一个实施方案中,提供用于纳米线生长和掺杂的方法,包括使用硅前体的组合以及使用有图案基底以生长取向纳米线,从而进行外延取向纳米线生长的方法。摘要附图显示了根据本发明的一个实施方案,使用形成图案的基底的取向纳米线生长的图。在本发明的其它方面,提供通过使用牺牲生长层而提高纳米线质量的方法。在本发明的另外方面,提供将纳米线从一个基底转移到另一个基底上的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN101331590B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纳米系统公司;

    申请/专利号CN200680045385.7

  • 发明设计人 弗吉尼亚·罗宾斯;

    申请日2006-12-20

  • 分类号H01L21/20(20060101);B05D3/00(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人李帆

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-29

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20150410 申请日:20061220

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-04-20

    授权

    授权

  • 2009-03-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-24

    公开

    公开

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