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带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体存储设备

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一种半导体存储设备，包括存储单元阵列(10)、字线(WL)、和行解码器(20)。存储单元阵列(10)包括以矩阵排列的存储单元(MC)。存储单元(MC)包括具有电荷累积层(210)和控制栅极(230)的第一MOS晶体管(MT)和第二MOS晶体管(ST)。字线(WL)连接第一MOS晶体管(MT)的控制栅极(230)。行解码器(20)包括第一地址解码电路(141)、第二地址解码电路(142)和传输门(150)。第一地址解码电路(141)解码n位行地址信号中的m位(m和n是满足表达式m＜n的自然数)。第二地址解码电路(142)解码行地址信号中的(n-m)位。传输门(150)根据第二地址解码电路(142)的输出将第一地址解码电路的(141)的输出提供到字线(WL)。

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公开/公告号CN101023492B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-06

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社东芝;
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申请/专利号CN200580031611.1
发明设计人神田和重;梅泽明;柿添和彦;榛叶芳秋;平田义治;
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申请日2005-09-30
分类号G11C8/08(20060101);G11C8/10(20060101);G11C16/08(20060101);G11C16/12(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人马浩
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:06:39

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-08-22

专利权的转移 IPC(主分类):G11C 8/08 登记生效日:20170803 变更前: 变更后: 申请日:20050930

专利申请权、专利权的转移
2011-04-06

授权

授权
2011-04-06

授权

授权
2007-10-17

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-10-17

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-08-22

公开

公开
2007-08-22

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1. 带有各自具有浮动栅极和控制栅极的多个MOS晶体管的半导体存储设备 [P] . 中国专利： CN101023492B . 2011.04.06
2. 包括每个有浮动栅和控制栅极的MOS晶体管的半导体存储器 [P] . 中国专利： CN1306616C . 2007.03.21
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5. Semiconductor memory device with MOS transistors, each including floating gate and control gate, and memory card including the same [P] . 美国专利： US2005237808A1 . 2005-10-27

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