电容单元、集成电路、集成电路设计方法以及集成电路制造方法

摘要

本发明的一实施方式涉及的电容单元，将用于积蓄静电容量的多晶硅栅(6)扩大到单元框(2)中的电源布线位置和接地布线位置。此外，不限于将多晶硅栅(6)扩大到单元框(2)中的电源布线位置和接地布线位置的情况，也可以将多晶硅栅(6)扩大到电源布线位置或接地布线位置的任意一方。这样，在电容单元中主要影响到静电容量的积蓄量的扩散层(3)和多晶硅栅(6)的重复部分的面积(X×Y)被扩大。