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基于单个极性半导体纳米带光弹簧的制作方法

摘要

本发明公开了一种基于单个极性半导体纳米带的光弹簧的制作方法,1)以半导体粉末为原料,采用热蒸发方法制备半导体纳米带絮状物;2)用挥发性溶液为分散液,将半导体纳米带絮状物溶解在分散液中,并经超声振荡后,使半导体纳米带絮状物分散成单个极性半导体纳米带悬浮在分散液中;3)将置于空气中形成二氧化硅绝缘层的单晶硅片为衬底;4)将悬浮单个极性半导体纳米带的分散液滴在衬底上经自然挥发,得到随机分布的单个纳米带;5)用纳米探针技术,选取平躺在衬底上其垂直方向具有最大的自发极化和压电效应的单个极性半导体纳米带,作为基于单个极性半导体纳米带的光弹簧。本发明的优点在于:基于单个II-VI族半导体压电纳米带制作的光弹簧的光致伸缩大,最大光致应变量达到2%;光弹簧具有定位精度高,适合于微/纳电子机械系统的技术要求。属于纳米高新技术领域。

著录项

  • 公开/公告号CN101224868B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;

    申请/专利号CN200810030575.2

  • 申请日2008-01-30

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 411100 湖南省湘潭市羊牯塘

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 授权公告日:20110406 终止日期:20120130 申请日:20080130

    专利权的终止

  • 2011-04-06

    授权

    授权

  • 2008-09-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-07-23

    公开

    公开

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