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具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法

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摘要

在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。

公开/公告号CN1855495B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-13

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN200610073547.X
发明设计人金成玟;朴东建;金洞院;金旻相;尹恩贞;
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申请日2006-04-10
分类号H01L27/085(20060101);H01L27/105(20060101);H01L27/02(20060101);H01L21/8232(20060101);H01L21/8239(20060101);H01L21/82(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人林宇清;谢丽娜
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:06:32

1. 具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN1855495B . 2011.04.13
2. 具有埋栅的垂直沟道结型场效应晶体管及其制造方法 [P] . 中国专利： CN101416319B . 2011.04.20
3. Field effect transistors with vertically oriented gate electrodes and methods for fabricating the same [P] . 美国专利： US8168492B2 . 2012-05-01

机译：具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法
4. Field effect transistors with vertically oriented gate - electrodes and method of making same [P] . 德国专利： DE102006016550B4 . 2010-04-29

机译：具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法
5. Field effect transistors with vertically oriented gate electrodes and method of fabricating the same [P] . 韩国专利： KR100752661B1 . 2007-08-29

机译：具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法