半导体器件栅极残留最大允许值确定方法

摘要

一种半导体器件栅极残留最大允许值确定方法，包括：根据栅极残留在沟道长度方向的尺寸L和栅极厚度方向H的尺寸关系，建立栅极残留的形状模型；根据栅极残留的形状模型计算H和L取不同值时的半导体器件的电性能参数，并得到H和L与半导体器件电性能参数的关系；挑选H和L为零时的半导体器件的电性能参数为标准值，并设定存在栅极残留时半导体器件的电性能参数允许的最大波动范围为(±X％×标准值)；根据H和L与半导体器件电性能参数的关系，分别计算半导体器件的电性能参数为(1±X％)×标准值时对应的H和L；选定上步所述尺寸中的最小值作为栅极残留的最大允许值。所述方法可以对栅极残留对器件性能的影响进行定量计算和分析。