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基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用

摘要

本发明涉及基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用。该硅纳米线传感器是联用一种表面具有增强拉曼散射效应且稳定性高的活性基底和拉曼光谱仪一同构筑成的。所述的活性基底,是由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅纳米线阵列,及在垂直定向站立排列的硅纳米线阵列顶端的形貌呈网状的银纳米粒子薄膜构成。所述的活性基底中进一步不含有SiO2和Ag2O,使得作为拉曼检测基底的活性基底的拉曼图谱非常干净,从而极大地减小了活性基底本身的杂峰对有机物目标分子检测的干扰。联用本发明的活性基底和拉曼光谱仪一同构筑的硅纳米线传感器可以对未知浓度的有机物目标分子溶液作定量检测。

著录项

  • 公开/公告号CN101614668B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院理化技术研究所;

    申请/专利号CN200910089511.4

  • 发明设计人 师文生;王晓天;佘广为;

    申请日2009-07-22

  • 分类号G01N21/65(20060101);B82B3/00(20060101);

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人李柏

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北一条2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-01-12

    授权

    授权

  • 2010-02-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-12-30

    公开

    公开

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