检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差所致缺陷的方法

摘要

一种通过肉眼检测涂敷在晶片上的光刻胶膜微观厚度差所致缺陷的方法，即使是256M以上的DRAM器件也能精确控制光刻胶膜图形关键尺寸，并允许精确地分析产额，该法包括以下各步骤：使光刻胶膜在低温经受热处理，以使得某些低分子量化合物或溶剂分子保留在光刻胶膜内；在光刻胶膜上形成一定厚的特殊材料层，使留下的低分子量化合物或溶剂分子从光刻胶膜经特殊材料层的较薄部分涌出。