改善刻蚀工艺中围墙与刻面问题的方法

摘要

本发明揭露了一种改善刻蚀工艺中围墙与刻面问题的方法，其利用对介质层与中间停蚀层具有高选择性的刻蚀气体进行沟槽的刻蚀，避免了中间停蚀层于刻蚀过程中的损坏，降低了围墙或刻面的出现几率。具体包括如下步骤：于芯片叠层中刻蚀出一通孔，其中该通孔止于阻挡层；在通孔中淀积栓塞层；利用第一混合气体刻蚀部分第二介质层；利用第二混合气体继续刻蚀上述部分第二介质层直至中间停蚀层，其中第一混合气体与第二混合气体对第二介质层与中间停蚀层的刻蚀具有高选择性。