利用隧道磁阻效应的半导体存储器及其制造方法

摘要

本发明的一个实施例，具备：根据电阻值的变化存储第1状态或第2状态的多个第1存储器件，上述第1存储器件分别具有一方端部和另一方端部，上述第1存储器件互相并列配置；分别连接到多个上述第1存储器件的上述一方端部的第1布线；与上述第1布线平行，分别连接到多个上述第1存储器件的上述另一方端部的第2布线；以及根据从上述第1布线或上述第2布线的一方，通过上述第1存储器件向上述第1布线或上述第2布线的另一方流过的电流，读出存储于上述第1存储器件的上述第1或第2状态。