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间隙型Gd-Si-Ge系磁致冷材料及其制备方法

摘要

本发明属于磁致冷材料及其制备技术领域,特别涉及一种间隙型Gd-Si-Ge系磁致冷材料及其制备方法。制备方法包含配料与熔炼、热处理步骤,该材料化学通式为间隙型Gd

著录项

  • 公开/公告号CN101532109B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 钢铁研究总院;

    申请/专利号CN200910078522.2

  • 发明设计人 邹君鼎;李卫;朱明刚;

    申请日2009-02-25

  • 分类号

  • 代理机构北京中安信知识产权代理事务所;

  • 代理人张小娟

  • 地址 100081 北京市海淀区学院南路76号

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-02-16

    授权

    授权

  • 2009-11-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-09-16

    公开

    公开

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