公开/公告号CN101593680B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料股份有限公司;
申请/专利号CN200910143806.5
申请日2005-05-10
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:05:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-01-18
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/205 变更前: 变更后: 申请日:20050510
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2011-02-23
授权
授权
2010-01-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-12-02
公开
公开
机译: 使用选择性沉积工艺制造MOSFET器件的方法
机译: 使用选择性沉积工艺制造MOSFET器件的方法
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