在半导体器件中制造凹陷栅极以及制造凹陷沟道的方法

摘要

一种在半导体器件中制造凹陷栅极的方法，所述方法包括：蚀刻硅衬底以形成限定有源区的沟槽；形成填隙沟槽的器件隔离层；在硅衬底上形成硬掩模层，所述硬掩模层包括氧化物层和非晶碳层的堆叠结构，其中硬掩模层暴露有源区的沟道目标区；和通过使用所述硬掩模层作为蚀刻阻挡层来对沟道目标区进行第一蚀刻和第二蚀刻以形成具有双重轮廓的凹陷区域，其中移除非晶碳层之后实施所述第二蚀刻。