首页> 中国专利> 一种太阳电池用硅量子点的低温生长方法

一种太阳电池用硅量子点的低温生长方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种太阳电池用硅量子点的低温生长方法，属硅量子点材料技术领域。本方法为：用等离子体增强化学气相沉积技术在＜450℃温度下，在S硅晶片或石英片或玻璃片或不锈钢片或耐高温聚合物衬底材料上交替生长几纳米厚的化学计量比的硅化合物介质层和富Si的硅化合物层；后利用快速光热退火技术在≤550℃的温度下后退火处理，使富Si的硅化合物层中富余的Si发生扩散迁移，固相晶化，形成Si量子点；形成的Si量子点为层状排布，其尺寸由原始生长的富Si的硅化合物层的厚度控制，量子点的密度由原始富Si的SiN

著录项

公开/公告号CN101626048B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-12-08

原文格式PDF
申请/专利权人云南师范大学;
展开▼

申请/专利号CN200910094696.8
发明设计人杨培志;刘黎明;郝瑞亭;杨雯;莫镜辉;邓书康;
展开▼

申请日2009-07-08
分类号
代理机构昆明今威专利代理有限公司;
代理人杨宏珍
地址 650092 云南省昆明市五华区一二一大街298号
入库时间 2022-08-23 09:05:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20101208 终止日期:20150708 申请日:20090708

专利权的终止
2010-12-08

授权

授权
2010-03-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-01-13

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种太阳电池用硅量子点的低温生长方法 [P] . 中国专利： CN101626048B . 2010.12.08
2. 一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法 [P] . 中国专利： CN103000742B . 2015.11.04
3. The method of treating white grape leaves which are not exposed to low temperature during its growth process to produce the Shugelong varieties of grape seedlings, including 1-seed, is a method of spraying 1-seed aqueous solution in the form of droplets at different stages of grape growth, and the method of spraying 1-seed aqueous solution at different stages of grape growth. Control the effect of this one. [P] . CL2010000131A1 . 2010-12-31

机译：处理在生长过程中不暴露于低温的白葡萄叶片以生产包括1粒种子在内的Shugelong葡萄苗品种的方法是一种在不同阶段以液滴形式喷洒1粒水溶液的方法葡萄生长的方法，以及在葡萄生长的不同阶段喷洒1种种子水溶液的方法。控制这一效果。
4. METHOD FOR FORMING SILICON QUANTUM DOT AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME TO FORM SILICON QUANTUM DOT WITH SINGLE CRYSTALLINE CHARACTERISTIC AND UNIFORM CHARACTERISTIC [P] . 韩国专利： KR20050018382A . 2005-02-23

机译：形成硅量子点的方法和制造半导体存储器的方法，使用相同的方法形成具有单个晶体特征和统一特征的硅量子点
5. METHOD FOR LOW TEMPERATURE GROWTH OF EPITAXIAL SILICON AND DEVICES PRODUCED THEREBY [P] . CA2122118A1 . 1994-12-25

机译：低温硅的低温生长方法及其所产生的器件