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激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁的碳薄膜材料

摘要

本发明属于光学传感器和光电器件材料技术领域的激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁的碳薄膜材料。将Si(100)基片、高纯C靶以及Fe靶放入激光脉冲沉积设备的真空镀膜室内,抽真空至小于8×10-4Pa后,加热Si基片至350℃~450℃,再用KrF激光器脉冲轰击Fe靶,沉积Fe层薄膜,之后用KrF激光器脉冲轰击高纯C靶,沉积C层薄膜,沉积结束后,保温退火10min~30min,让Fe原子扩散至C层中,自然冷却至室温,得到掺铁的碳薄膜材料。采用激光脉冲沉积方法制备掺铁的碳薄膜,方法简单,工艺稳定,可控性好,具有很高的制备效率。而且在薄膜沉积过程中,避免使用易燃易爆有毒的物质,符合环保要求。

著录项

  • 公开/公告号CN101550530B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200910081398.5

  • 申请日2009-04-03

  • 分类号C23C14/06(20060101);C23C14/28(20060101);H01L31/0288(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人童晓琳

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/06 授权公告日:20101110 终止日期:20150403 申请日:20090403

    专利权的终止

  • 2010-11-10

    授权

    授权

  • 2009-12-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-10-07

    公开

    公开

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