法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-15
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 17/23 授权公告日:20101201 终止日期:20140527 申请日:20050527
专利权的终止
2011-03-23
专利权的转移 IPC(主分类):C03C 17/23 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20110214 申请日:20050527
专利申请权、专利权的转移
2010-12-01
授权
授权
2007-01-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-11-29
公开
公开
机译: TE前驱物,使用该TE前驱物制备的含TE的硫族化物薄膜层,该薄膜层的制备方法和相变存储器
机译: 改善铟锡氧化物(ITO)的导电性能和光学薄膜沉积的方法
机译: 增强沉积的铟锡氧化物(ITO)薄膜的导电和光学特性的方法