公开/公告号CN101221902B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 友达光电股份有限公司;
申请/专利号CN200810005717.X
发明设计人 孙铭伟;
申请日2008-02-03
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/268(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/77(20060101);H01L21/84(20060101);B23K26/06(20060101);G03F1/14(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人任默闻
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 09:05:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-11-24
授权
授权
2008-09-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-07-16
公开
公开
机译: 激光结晶过程的掩膜和使用该掩膜的激光结晶过程
机译: 激光结晶过程的掩膜和使用该掩膜的激光结晶过程
机译: 使用混合激光刻划和等离子刻蚀方法的晶圆切割,并采用中间非接触式后掩膜清洁技术