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Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong

召开年：2001
召开地：Hong Kong
出版时间：-

会议文集：-

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1.Preparation and characterization of piezoelectric (Pb/sub 0.76/Ca/sub 0.24/)TiO/sub 3/ films

机译：压电（Pb / sub 0.76 / Ca / sub 0.24 /）TiO / sub 3 /膜的制备与表征
- 作者：Guo;H.Y.;Wilson;I.H.;Xu;J.B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
2.Statistical modeling of MOS devices based on parametric test data for improved IC manufacturing

机译：基于参数测试数据的MOS器件的统计建模，以改善IC制造
- 作者：Liou J.J.;Qiang Zhang;McMacken J.;Thomson J.R.;Stiles K.;Layman P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
3.Dielectric traps in amorphous silicon oxynitride

机译：非晶态氮氧化硅中的介电陷阱
- 作者：Hei Wong;Gritsenko V.A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
4.Microelectronics roadmap: from ultimate CMOS to quantum information systems

机译：微电子路线图：从最终的CMOS到量子信息系统
- 作者：Wang K.L.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
5.Proceedings 2001 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting (Cat. No.01TH8553)

机译：2001年IEEE香港电子设备会议论文集（目录号01TH8553）
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
6.Etching techniques for the realization of semiconductor devices based on III-V nitrides

机译：用于实现基于III-V氮化物的半导体器件的蚀刻技术
- 作者：Huey-Liang Wang;Jyh-Tsung Hsieh;Pilkuhn M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
7.Smart 1-3 composites for ultrasonic transducer applications

机译：适用于超声换能器的智能1-3复合材料
- 作者：Chan H.L.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
8.Annealing effects on ultrathin MOS capacitors

机译：退火对超薄MOS电容器的影响
- 作者：Ng A.C.-H.;Jun Xu;Xu J.B.;Cheung W.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
9.Effects of intermediate-temperature buffer layers on low-frequency noise performance of GaN based Schottky barriers

机译：中温缓冲层对GaN基肖特基势垒的低频噪声性能的影响
- 作者：Leung;B.H.;Chan;N.H.;Fong;W.K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
10.Electrical properties of high quality MBE-grown GaN thin films on intermediate-temperature buffer layers

机译：中温缓冲层上高质量MBE生长的GaN薄膜的电性能
- 作者：Fong;W.K.;Zhu;C.F.;Leung;B.H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
11.A chemical sensor based on the measurement of differential phase related to surface plasmon resonance

机译：基于与表面等离振子共振相关的微分相测量的化学传感器
- 作者：Ho;H.P.;Lam;W.W.;Wu;S.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
12.A drain current model for MOSFET's with pocket implantation

机译：带有口袋注入的MOSFET的漏极电流模型
- 作者：Yang-Hua Chang;Ching-Sung Ho;Wen-Tai Liao;Chung-Che Liu
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
13.A lithography independent gate definition technology for fabricating sub-100 nm devices

机译：与光刻无关的栅极定义技术，用于制造100 nm以下的器件
- 作者：Shendong Zhang;Ruqi Han;Xiaoyan Liu
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
14.A robust parameter extraction method for diode with series resistance

机译：串联电阻二极管的鲁棒参数提取方法
- 作者：Hei Wong;Lam W.H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
15.A theoretical treatment for reconstruction of thermal conductivity depth profiles

机译：重建导热深度剖面的理论方法
- 作者：Jianxin Zhu
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
16.Effects of mismatch on CMOS double-balanced mixers: a theoretical analysis

机译：失配对CMOS双平衡混频器的影响：理论分析
- 作者：Jun Wang;Wong A.K.K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
17.Simulation of a lateral trench IGBT with p+ diverter having superior electrical characteristics

机译：具有优异电特性的带有p +分流器的横向沟槽IGBT的仿真
- 作者：Ey Goo Kang;Seung Hyun Moon;Sangsig Kim;Man Young Sung
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
18.An AFM study on the degradation of phase-change recordable compact disc

机译：AFM研究相变可记录光盘的退化
- 作者：Ng W.M.C.;Ho H.P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
19.Characterization of immobilized DNA probes on the surface of silicon compatible materials

机译：硅相容材料表面上固定DNA探针的表征
- 作者：Xu Wen;Xue Mei;Lenigk R.;Carles M.;Sucher N.J.;Ip N.Y.;Chan M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
20.Characterization of piezoelectric ring used for wire bonding transducer application

机译：用于引线键合传感器的压电环的特性
- 作者：Kei Chun Cheng;Chan H.L.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
21.Direct electrical characterization of metal-induced-lateral-crystallization regions by spreading resistance probe measurements

机译：通过扩散电阻探针测量对金属诱导的横向结晶区域进行直接电表征
- 作者：Leung;T.C.;Cheng;C.F.;Myasnikov;A.M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
22.Formation mechanism of light-emitting porous silicon prepared by reactive ions etching

机译：反应离子刻蚀制备的发光多孔硅的形成机理
- 作者：Han P.G.;Hei Wong;Chan A.H.P.;Poon M.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
23.Genetic algorithms for reflective filters design

机译：反射滤光片设计的遗传算法
- 作者：Li E.H.;Djuri A.B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
24.Low S/D resistance FDSOI MOSFETs using polysilicon and CMP

机译：使用多晶硅和CMP的低S / D电阻FDSOI MOSFET
- 作者：Chunshan Yin;Chan V.W.C.;Chan P.C.H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
25.Low voltage CMOS active pixel sensor design methodology with device scaling considerations

机译：器件尺寸考虑因素的低压CMOS有源像素传感器设计方法
- 作者：Chao Shen;Chen Xu;Weiquan;Huang W.R.;Mansun Chan
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
26.Negative differential capacitance in copper phthalocyanine organic devices

机译：铜酞菁有机器件中的负差分电容
- 作者：Xu M.S.;Xu J.B.;Cheung W.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
27.Optical response of photodiode in integrated DNA detection system

机译：集成DNA检测系统中光电二极管的光学响应
- 作者：Mei Xue;Wen Xu;Gang Lu;Ip N.Y.;Ping K. Ko;Mansun Chan
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
28.PT/P(VDF-TrFE) hydrophone array

机译：PT / P（VDF-TrFE）水听器阵列
- 作者：Sien Ting Lau;Kin Wing Kwok;Chan H.L.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
29.RF bipolar transistors in CMOS compatible technologies

机译：CMOS兼容技术中的RF双极晶体管
- 作者：Sun I.-S.M.;Wai Tung Ng;Mok P.K.T.;Mochizuki H.;Shinomura K.;Imai H.;Ishikawa A.;Saito N.;Miyashita K.;Tamura S.;Takasuka K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
30.Spreading-resistance temperature sensor on thin-film SOI

机译：薄膜SOI上的扩展电阻温度传感器
- 作者：Bin Li;Lai P.T.;Sin J.K.O.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
31.The effect of nickel seed position on nickel-induced-lateral-crystallization of amorphous silicon

机译：镍晶种位置对非晶硅镍诱导的侧向结晶的影响
- 作者：Cheng;C.F.;Leung;T.C.;Poon;M.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
32.Ultrasonic investigation of charge-ordering compound La/sub 0.5/Ca/sub 0.5/MnO/sub 3/ under magnetic field

机译：磁场下电荷排序化合物La / sub 0.5 / Ca / sub 0.5 / MnO / sub 3 /的超声研究
- 作者：Zhu;C.F.;Zheng;R.K.;Xie;J.Q.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
33.Characterization of GaN thin films on HVPE GaN templates

机译：HVPE GaN模板上的GaN薄膜的表征
- 作者：Zhu C.F.;Fong W.K.;Leung B.H.;Chan N.H.;Surya C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
34.Interdiffusion of GaInNAs-GaAs quantum wells

机译：GaInNAs-GaAs量子阱的相互扩散
- 作者：Chan M.C.Y.;Surya C.;Wai P.K.A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
35.Poly silicon film formation by nickel-induced-lateral crystallization and pulsed rapid thermal annealing

机译：通过镍诱导的侧向结晶和脉冲快速热退火形成多晶硅膜
- 作者：Leung;T.C.;Cheng;C.F.;Poon;M.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年
36.The CuO/sub 2/ interlayer coupling and anisotropic properties in Bi/sub 2/Sr/sub 2/Ca/sub 1-x/Gd/sub x/Cu/sub 2/O/sub 8+/spl delta// single crystals

机译：Bi / sub 2 / Sr / sub 2 / Ca / sub 1-x / Gd / sub x / Cu / sub 2 / O / sub 8 + / spl delta // single中的CuO / sub 2 /层间耦合和各向异性水晶
- 作者：Li;X.-G.;Zhao;X.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2001. Proceedings. 2001 IEEE Hong Kong》 | 2001年