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基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头

摘要

一种基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头,该读取磁头由生长在基片上的铁电氧化物层和磁性层构成。该读取磁头结构上有多种方案,包括生长在基片上的铁电氧化物层为第一层、磁性层为第二层,形成第一种结构单元;或生长在基片上的磁性层为第一层,铁电氧化物层为第二层,形成第二种结构单元;第一种结构单元在基片上重复堆叠;第二种结构单元在基片上重复堆叠;在基片上重复堆叠的第一种结构单元上面再堆叠一层铁电氧化物层;在基片上重复堆叠的第二种结构单元上面再堆叠一层磁性层以及在铁电氧化物基片上生长一层磁性层。该多铁性复合薄膜读取磁头与传统读取磁头相比具有无需外加偏置磁场、结构简单、无能耗等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101251997B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-11-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200810103812.3

  • 申请日2008-04-11

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/31 授权公告日:20101110 终止日期:20170411 申请日:20080411

    专利权的终止

  • 2010-11-10

    授权

    授权

  • 2010-11-10

    授权

    授权

  • 2008-10-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-22

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-27

    公开

    公开

  • 2008-08-27

    公开

    公开

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