一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件

摘要

一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件，在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上依次沉积铁电和铁磁薄膜制成叠层结构，具有压电效应的铁电薄膜化学结构式为0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3?0.5(Ba0.3Ca0.7)TiO3(BZT?BCT)，具有磁致伸缩效应的薄膜为Fe0.7Ga0.3；其制备方法是铁电陶瓷薄膜利用射频磁控溅射制备，铁磁薄膜利用直流磁控溅射制备。本发明的优点是：该存储元件具有非易失性、在外加电压时能够保持极化和磁化的状态，功耗低；该存储单元在室温下具有良好的铁电、压电和铁磁性能，在外加偏置电压为20V获得最大的电场控制磁电阻效应6％。