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公开/公告号CN1045637C
专利类型发明授权
公开/公告日1999-10-13
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN95118169.6
发明设计人 汤宝寅;王松雁;
申请日1995-11-15
分类号C23C14/48;
代理机构哈尔滨工业大学专利事务所;
代理人李依群
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市西大直街92号
入库时间 2022-08-23 08:55:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2003-01-08
专利权的终止未缴年费专利权终止
1999-10-13
授权
1997-10-22
实质审查请求的生效
1997-05-21
公开
机译: 用于粉末和结构化材料的等离子体浸没离子注入的等离子体处理设备
机译: 用于金属等离子体浸没离子注入和金属等离子体浸没离子沉积的设备和方法
机译: 用于等离子体浸没离子注入的增强型等离子体模式和系统
机译:用于材料表面改性的等离子体浸没离子注入(PIII)和沉积(PIII&D)处理的改进
机译:低能和高能等离子体浸没离子注入,用于材料表面改性
机译:通过等离子体浸没离子注入对聚合物材料进行表面改性
机译:通过金属等离子体浸没离子注入和沉积(MPIIID)对生物材料进行表面改性
机译:通过等离子体注入氧气和等离子体浸没离子注入进行分离,以形成绝缘体上硅。
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机译:低压等离子体和等离子体浸没离子注入的纳米级表面改性:通过XPS方法表征成分和化学结构
机译:钴等离子体浸没离子注入和沉积对镍电池电极的表面改性