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含硅芴共轭聚合物及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及含硅芴共聚物的制备及其应用,所述共聚物由单体2,7-硅芴和窄带隙单体共聚物组成,共聚物的吸收光谱吸收边大于500纳米。其制备方法是将2,7-硅芴单体与含氮和/或硫杂原子的窄带隙单体进行共聚,将其吸收带边推向红光及近红外区。本发明提供的含硅芴聚合物可用于制备聚合物太阳能电池,场效应管等领域。其迁移率高,长期稳定性好,能量转化效率高。

著录项

  • 公开/公告号CN101148495B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN200710028956.2

  • 发明设计人 曹镛;王二刚;王藜;

    申请日2007-07-02

  • 分类号

  • 代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-22

    授权

    授权

  • 2008-05-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-26

    公开

    公开

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