一种利用光外差法产生高频微波的集成光电子器件

摘要

本发明公开了属于微波光子学领域的光电子器件制备技术范围，尤其涉及一种利用光外差法产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件由主激光器和从激光器平行放置在衬底上，在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，将主激光器和从激光器集成在一起，将主、从两个激光器的一端通过一个多模干涉器或一个微环结构实现调制边带的耦合，进行注入锁定；再通过多模干涉器耦合输出，进行拍差，就可以获得高频微波。因此，可通过调节一个DFB激光器的工作温度和注入电流，从而实现激射波长的差异，进而达到边带注入锁定的效果。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。