首页> 中国专利> 基于波动磁阻的磁阻传感器及磁阻感测系统

基于波动磁阻的磁阻传感器及磁阻感测系统

摘要

一种由在基片上形成的多层结构组成的磁阻(MR)传感器,包括交替的铁磁材料层和非磁性金属材料层。铁磁材料和非磁性材料构成双层,它显示了这样的特性,即多层结构的磁阻作为非磁性材料层厚度的函数而波动。产生一个流经MR传感器的电流,并且检测作为被测磁场函数的MR传感器的电阻率的变化情况。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-03-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:19990707 终止日期:20100221 申请日:19920121

    专利权的终止

  • 2011-03-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/39 授权公告日:19990707 终止日期:20100221 申请日:19920121

    专利权的终止

  • 2004-02-25

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20040106 申请日:19920121

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移

  • 2004-02-25

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20040106 申请日:19920121

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移

  • 2004-02-25

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20040106 申请日:19920121

    专利申请权、专利权的转移专利权的转移

  • 2002-06-12

    其他有关事项

    其他有关事项

  • 2002-06-12

    其他有关事项

    其他有关事项

  • 1999-07-07

    授权

    授权

  • 1999-07-07

    授权

    授权

  • 1992-08-26

    公开

    公开

  • 1992-08-26

    公开

    公开

  • 1992-07-29

    实质审查请求已生效的专利申请

    实质审查请求已生效的专利申请

  • 1992-07-29

    实质审查请求已生效的专利申请

    实质审查请求已生效的专利申请

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