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公开/公告号CN1941390B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200610138903.1
发明设计人 安正查;
申请日2006-09-21
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:05:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-09-01
授权
2008-10-22
实质审查的生效
2007-04-04
公开
机译: 具有两个半导体层的像素,包括像素的图像传感器和包括图像传感器的图像处理系统
机译:具有改进的像素架构的128×128像素互补金属氧化物半导体图像传感器,用于检测调制的光信号
机译:具有内置自我功能的3兆像素100 Fps 2.8 src =“ / images / tex / 241.gif” alt =“ mu”> formula> m像素间距CMOS图像传感器层-3D集成成像仪测试
机译:用于三维图像处理系统的互补金属氧化物半导体图像传感器的基础研究
机译:具有两个多晶硅层且具有WSi / sub x /遮光层的单芯片彩色HDTV图像传感器,用于捆扎垂直门
机译:具有像素级ADC的多通道时空图像滤波APS CMOS图像传感器。
机译:图像信号累积多采集门图像传感器以25 Mfps的速度运行具有32×32像素和1220像素内帧存储器
机译:用于在移位失真对象分类中具有像素失真的移位60×80图像上训练2层感知器的最佳像素到移位标准偏差比
机译:有源像素图像传感器具有赢家通吃操作模式