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一种非本征F-P光纤传感器的制作方法

摘要

本发明公开了一种非本征光纤传感器的制作方法,属于光纤传感器技术领域,涉及一种光纤传感器件的制作技术。其特征是将通过刻划方法形成缺陷的裸光纤插入毛细管中,通过CO2激光热熔或胶粘方式将位于裸光纤末端的毛细管端点与裸光纤固定在一起;当光纤另一端施加的拉应力达到断裂阈值时,裸光纤从刻痕缺陷处裂开,形成与光纤轴线垂直的平整解理面;调节干涉腔长度,采用同样的方式将毛细管的另外一端与裸光纤固定在一起,最终制作出非本征F-P光纤传感器。本发明的有益效果是,能够得到光纤端面良好、干涉腔没有任何杂质的非本征F-P光纤传感器,降低了对毛细管和光纤苛刻的清洗要求,提高信号干涉对比度和制作成功率。

著录项

  • 公开/公告号CN101476899B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN200910010183.4

  • 发明设计人 宋世德;王晓娜;

    申请日2009-01-17

  • 分类号G01D5/26(20060101);G02B6/255(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人梅洪玉

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-03-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01D 5/26 授权公告日:20100908 终止日期:20130117 申请日:20090117

    专利权的终止

  • 2010-09-08

    授权

    授权

  • 2009-09-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-08

    公开

    公开

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