公开/公告号CN101442048B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-08
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;
申请/专利号CN200710094277.5
发明设计人 蔡描;
申请日2007-11-23
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人顾继光
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
入库时间 2022-08-23 09:04:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-01-15
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20131219 申请日:20071123
专利申请权、专利权的转移
2010-09-08
授权
授权
2009-07-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-05-27
公开
公开
机译: CMOS射频集成电路,能够防止电感器的性能降低
机译: 沟槽生成的射频和BiCMOS集成电路的器件结构和设计结构
机译: 射频和BiCMOS集成电路的沟槽生成的器件结构和设计结构