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提高用于无孔间隙填充的介电膜质量的方法和系统

摘要

一种在基板上形成氧化硅层的方法。该方法包括提供基板和形成覆盖至少部分基板的第一氧化硅层,该第一氧化硅层包括剩余水、羟基和碳种类物质。该方法还包括将第一氧化硅层暴露到多种含硅种类物质以形成与第一氧化硅层部分混合的多种非晶硅成分。此外,该方法包括在氧化环境中退火与多种非晶硅成分部分混合的第一氧化硅层以在基板上形成第二氧化硅层。至少部分非晶硅成分被氧化以变成部分的第二氧化硅层和未反应的剩余羟基且在第二氧化硅层中的碳种类物质基本被去除

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/316 授权公告日:20100825 终止日期:20131022 申请日:20081022

    专利权的终止

  • 2012-02-15

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/316 变更前: 变更后: 申请日:20081022

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2010-08-25

    授权

    授权

  • 2009-07-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-05-06

    公开

    公开

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