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重置一相变化存储单元的方法及设备

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本文涉及用于存储单元上的编程的方法、装置。本发明披露一种用以重置具有一存储单元临界电压的相变化存储单元的方法、系统。该方法包括读取该存储单元的电阻值，假使该电阻值大于一选定电阻值，则中止该存储单元的重置。不然的话，通过施加大于该存储单元临界电压的一电压至该位线，且通过施加大于该存取装置临界电压的一电压V

著录项

公开/公告号CN101221815B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-09

原文格式PDF
申请/专利权人旺宏电子股份有限公司;
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申请/专利号CN200810001948.3
发明设计人龙翔澜;
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申请日2008-01-04
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人王英
地址中国台湾新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 09:04:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-06-09

授权

授权
2008-09-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-07-16

公开

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