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等离子体化学气相沉积装置及等离子体表面处理方法

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本发明公开了一种等离子体化学气相沉积装置和一种等离子体表面处理方法。基片(1)安置在腔室(10)中的阳极(11a)的安置面上。在面对阳极(11a)的阴极(13)中形成流动通路(13a)，冷却水通过那里循环。在阳极(11a)和阴极(13)间施加电压，通过等离子体在基片(1)上形成碳纳米壁层，然后用冷却构件(12)冷却阳极(11a)，将基片(1)快速冷却到预定温度。

著录项

公开/公告号CN101016624B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-04

原文格式PDF
申请/专利权人日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社;
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申请/专利号CN200610146366.5
发明设计人西村一仁;笹冈秀纪;
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申请日2006-09-29
分类号C23C16/513(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/26(20060101);C23C16/27(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人刘兴鹏;邵伟
地址日本高知县
入库时间 2022-08-23 09:04:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-10

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/513 授权公告日:20100804 终止日期:20160929 申请日:20060929

专利权的终止
2010-08-04

授权

授权
2010-08-04

授权

授权
2007-10-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-10-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-08-15

公开

公开
2007-08-15

公开

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