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完全硅化区域以提高性能的结构及其方法

摘要

本发明涉及完全硅化区域以提高性能的结构及其方法。公开了包括完全硅化的区域的结构以及相关的方法。在一个实施例中,一种结构包括:衬底;部分硅化的区域,位于在所述衬底上形成的集成电路的有源区域中;完全硅化的区域,位于所述集成电路的非有源区域中;以及其中由公共半导体层形成所述部分和完全硅化的区域。

著录项

  • 公开/公告号CN101226931B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200810002203.9

  • 发明设计人 B·A·安德森;E·J·诺瓦克;

    申请日2008-01-02

  • 分类号H01L27/02(20060101);H01L27/088(20060101);H01L27/092(20060101);H01L21/82(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8238(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人于静;李峥

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-17

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20180328 变更前: 变更后: 申请日:20080102

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-02-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20170109 变更前: 变更后: 申请日:20080102

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-02-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20170109 变更前: 变更后: 申请日:20080102

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-02-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20170109 变更前: 变更后: 申请日:20080102

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-02-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20170109 变更前: 变更后: 申请日:20080102

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-06-02

    授权

    授权

  • 2010-06-02

    授权

    授权

  • 2008-09-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-09-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-07-23

    公开

    公开

  • 2008-07-23

    公开

    公开

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